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新式存储崭露头角,时代芯存PCM项目预计明年Q1量产

来源:中国闪存市场 作者: 发布时间:2018-12-05 浏览量:

据最新消息,江苏时代芯存半导体有限公司PCM项目即将于2019年Q1实现量产。该PCM生产项目总投资130亿元,一期投资43亿元,其中,淮安园兴投资有限公司占股44%,江苏时代全芯存储科技有限公司以自有知识产权和现金出资,占股56%。

该项目2017年11月完成厂房封顶,2018年3月首台设备进厂,9月试车。预计全面建成后年产能可达10万片12英寸相变存储器,实现年销售额45亿元。江苏时代芯存是IBM在中国唯一的PCM技术授权单位。

PCM是一种非易失存储技术,也称为 PRAM(Phase-change RAM),利用特殊材料在不同相间的电阻差异来存储信息。相较传统的存储技术,PCM 的优点是读写速度快、耐用、非挥发性等,读取速度大大领先于NAND Flash,写入次数也远高于NAND Flash。

过去 PCM 受限于成本过高和存储容量有限,一个存储单元(cell)仅能存 1 个 bit,不适合应用于电脑和移动设备,仅应用于蓝光光碟。此后IBM 成功研发出每存储单元可存 3 个 bit的PCM 技术,且不受周围温度影响,为PCM技术进入商用提供了无限可能。IBM预计,未来PCM生产成本将会低于DRAM,甚至可以降至与NAND Flash相当的水平。

随着DRAM 、 NAND Flash等技术日益逼近摩尔定律尽头,新式存储技术正引起产业的关注。而PCM是业界公认的第四代相变存储器的最成熟的技术,未来不仅会逐渐取代现有存储器市场的大多数,而且将会大大扩展现有的存储器市场,在大数据、物联网、可穿戴设备等领域夺先声、唱主角。





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